品牌 |
NXP |
型号 |
BGD812 |
封装 |
SOT115J |
批号 |
09 |
制作工艺 |
半导体集成 |
导电类型 |
双极型 |
规格尺寸 |
22.8mmX44.5mm(mm) |
工作温度 |
-40~85(℃) |
静态功耗 |
0.1(mW) |
类型 |
放大器 |
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