| 品牌 | NEC | 型号 | 3SK222 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-HBM/半桥组件 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 原装(V) | 夹断电压 | 标装(V) |
| 低频跨导 | 原装(μS) | 极间电容 | 标准(pF) |
| 低频噪声系数 | 标准(dB) | 最大漏极电流 | 标准(mA) |
| 最大耗散功率 | 标准(mW) |
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| 品牌 | NEC | 型号 | 3SK222 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-HBM/半桥组件 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 原装(V) | 夹断电压 | 标装(V) |
| 低频跨导 | 原装(μS) | 极间电容 | 标准(pF) |
| 低频噪声系数 | 标准(dB) | 最大漏极电流 | 标准(mA) |
| 最大耗散功率 | 标准(mW) |