| 品牌 | 稳先(WINSEMI) | 型号 | WFP9N60 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 2-4(V) | 夹断电压 | 0(V) |
| 跨导 | 0(μS) | 极间电容 | 0(pF) |
| 低频噪声系数 | 0(dB) | 最大漏极电流 | 0(mA) |
| 最大耗散功率 | 0(mW) |
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| 品牌 | 稳先(WINSEMI) | 型号 | WFP9N60 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 2-4(V) | 夹断电压 | 0(V) |
| 跨导 | 0(μS) | 极间电容 | 0(pF) |
| 低频噪声系数 | 0(dB) | 最大漏极电流 | 0(mA) |
| 最大耗散功率 | 0(mW) |